Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Inversor Trifásico
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: 1,2 kV
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1,85 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 °C: 39 A
Corrente de Fuga do Gate-Emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 190 W
Invólucro/Embalagem: SmartPIM1
Temperatura Mínima de Operação: -40 °C
Temperatura Máxima de Operação: +150 °C
Embalagem: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Tensão Máxima Gate-Emissor: 20 V
Estilo de Montagem: Montagem em Chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Série: Trench/Fieldstop IGBT4 - T4
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Nome Comercial: SmartPIM PressFIT
Aliases do Número da Peça: SP000663674 FP25R12U1T4BPSA1
Peso Unitário: 34 g