Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 49 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 17.5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 94 W
Modo de canal: Enhancement
Configuração: Single
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 4.4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 19 S
Tempo de queda: 45 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 60 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 100
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 44 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 12 ns
Peso unitário: 2 g
Acompanha: 1 peça